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参数目录36070
> 2SB1122S-TD-E TRANS PNP BIPO 1A 50V SOT89-3
型号:
2SB1122S-TD-E
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS PNP BIPO 1A 50V SOT89-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
2SB1122S-TD-E PDF
标准包装
1,000
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 100mA,2V
功率 - 最大
500mW
频率 - 转换
150MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-243AA
供应商设备封装
PCP
包装
带卷 (TR)
查看2SB1122S-TD-E代理商
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